Salute e malattia
| Caratteristica | CMOS | Bipolare |
|---|---|---|
| Struttura Transistor | MOSFET (source, drain, gate) | BJT (emettitore, base, collettore) |
| Consumo Energetico | Potenza statica molto bassa | Più alto (corrente continua) |
| Velocità/Frequenza | Velocità circuiti più alte | Switching individuale più veloce ma più lento overall |
| Immunità Rumore | Migliore (alta impedenza ingresso) | Più sensibile |
| Densità Integrazione | Più alta (più transistor/mm²) | Più bassa |
| Complessità Fabbricazione | Più complessa, processi maturi | Più semplice, meno passaggi |
| Costo/Resa | Cost-effective, alta resa | Più costoso, resa inferiore |
CMOS domina IC moderni per vantaggi potenza, densità, costo. Bipolare resta in nicchie RF/analogiche che richiedono alta velocità switching.
Disturbo bipolare